品牌
意法
封装
TO220
批号
21+
数量
4000
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
系列
STP25N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
4.6 ns
上升时间
14 ns
典型关闭延迟时间
14.8 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STP25N10F7
