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IPD65R950C6 电子元器件 INFINEON/英飞凌图1

IPD65R950C6 电子元器件 INFINEON/英飞凌

2022-12-09 20:54790询价
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品牌

英飞凌

封装

TO-252

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Id-连续漏极电流

4.5 A

Rds On-漏源导通电阻

855 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2.5 V

Qg-栅极电荷

15.3 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

37 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

系列

CoolMOS C6

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

6.22 mm

下降时间

13.6 ns

上升时间

5.2 ns

典型关闭延迟时间

41 ns

典型接通延迟时间

6.6 ns

零件号别名

IPD65R950C6ATMA1 SP001107082 IPD65R950C6ATMA1

单位重量

4 g

可售卖地

全国

型号

IPD65R950C6

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