1/5
IPD90R1K2C3 集成电路、处理器、微控制器图1

IPD90R1K2C3 集成电路、处理器、微控制器

2022-12-13 15:21530询价
价格:¥0.00/个
起订:1000个
发货:3天内
发送询价

品牌

英飞凌

封装

TO-252

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Id-连续漏极电流

5.1 A

Rds On-漏源导通电阻

940 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2.5 V

Qg-栅极电荷

28 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

83 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

系列

CoolMOS C3

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

6.22 mm

下降时间

40 ns

上升时间

20 ns

典型关闭延迟时间

400 ns

典型接通延迟时间

70 ns

零件号别名

IPD9R1K2C3XT SP000413720 IPD90R1K2C3BTMA1

单位重量

330 mg

可售卖地

全国

型号

IPD90R1K2C3

反对 0
举报 0
收藏 0
评论 0
联系方式