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IPW60R190P6 场效应管 INFINEON/英飞凌图1

IPW60R190P6 场效应管 INFINEON/英飞凌

2022-12-13 15:43420询价
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品牌

英飞凌

封装

TO-247

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-247-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

20.2 A

Rds On-漏源导通电阻

171 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

3.5 V

Qg-栅极电荷

37 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

151 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

21.1 mm

长度

16.13 mm

系列

CoolMOS P6

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

5.21 mm

下降时间

7 ns

上升时间

8 ns

典型关闭延迟时间

45 ns

典型接通延迟时间

15 ns

零件号别名

IPW60R190P6FKSA1 SP001017090 IPW60R190P6FKSA1

单位重量

38 g

可售卖地

全国

型号

IPW60R190P6

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