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品牌
东芝
数量
15759
制造商
Toshibasemiconductor and Storage
晶体管类型
NPN
功率 - 最大值
150 W
频率 - 跃迁
30MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PL
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体
型号
TTC5200(Q)
技术参数
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 |
| 型号： | TTC5200(Q) |
| 数量： | 15759 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 |
| 制造商： | Toshibasemiconductor and Storage |
| 晶体管类型： | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 15 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 230 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： | 3V @ 800mA，8A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）： | 5µA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： | 80 @ 1A，5V |
| 功率 - 最大值： | 150 W |
| 频率 - 跃迁： | 30MHz |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3PL |
