起订:1000个
发货:3天内
发送询价
品牌
英飞凌
数量
17359
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
25.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
下降时间
3 ns
上升时间
4 ns
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD30N10S3L34ATMA1 SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
IPD30N10S3L-34
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IPD30N10S3L-34 |
| 数量： | 17359 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 30 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 25.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 31 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 57 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | OptiMOS-T |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 下降时间： | 3 ns |
| 上升时间： | 4 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 18 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 ns |
| 零件号别名： | IPD30N10S3L34ATMA1 SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
