品牌
IR
封装
TO-220AB
批次
19+
数量
1000000
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
FET 类型
P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±20V
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
55 V
可售卖地
全国
型号
IRF9Z24NPBF
技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRF9Z24NPBF |
| 封装： | TO-220AB |
| 批次： | 19+ |
| 数量： | 1000000 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 类型： | P 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 45W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss）： | 55 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 19 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 350 pF @ 25 V |