品牌
INFINEON
封装
TO-247
批次
19+
数量
1000000
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
12 ns
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
上升时间
15 ns
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
72 ns
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
5.21 mm
宽度
SPW17N8C3XK SP000013369 SPW17N80C3FKSA1
零件号别名
6 g
可售卖地
全国
型号
SPW17N80C3
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | SPW17N80C3 |
| 封装： | TO-247 |
| 批次： | 19+ |
| 数量： | 1000000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 800 V |
| Id-连续漏极电流： | 17 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 290 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.1 V |
| Qg-栅极电荷： | 88 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 227 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 12 ns |
| 高度： | 21.1 mm |
| 长度： | 16.13 mm |
| 上升时间： | 15 ns |
| 系列： | CoolMOS C3 |
| 晶体管类型： | 72 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 25 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5.21 mm |
| 宽度： | SPW17N8C3XK SP000013369 SPW17N80C3FKSA1 |
| 零件号别名： | 6 g |