品牌
IXYS
封装
TO-247
批次
19+
数量
1000000
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
FET 类型
N 通道
漏源电压（Vdss）
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 4mA
Vgs（最大值）
±20V
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET -
型号
IXFH12N90
技术参数
| 品牌： | IXYS |
| 型号： | IXFH12N90 |
| 封装： | TO-247 |
| 批次： | 19+ |
| 数量： | 1000000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | IXYS |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 900 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4.5V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 155 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 4200 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值）： | 300W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |