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ST 元器件 VND5E160MJTR-E图1

ST 元器件 VND5E160MJTR-E

2022-11-19 11:45380询价
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品牌

ST/意法半导体

封装

PowerSSO-12

批次

2021

数量

10346

制造商

STMicroelectronics

产品种类

门驱动器

RoHS

产品

Driver ICs - Various

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

PowerSSO-12

激励器数量

2 Driver

输出电流

10 A

电源电压-最小

4.5 V

电源电压-最大

41 V

工作电源电流

3 mA

最小工作温度

- 40 C

最大工作温度

+ 125 C

系列

VND5E160MJ-E

资格

AEC-Q100

技术

Si

商标

STMicroelectronics

湿度敏感性

Yes

工作电源电压

4.5 V to 28 V

产品类型

Gate Drivers

工厂包装数量

2500

子类别

PMIC - Power Management ICs

单位重量

400 mg

可售卖地

全国

类型

High Side

型号

VND5E160MJTR-E

技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:VND5E160MJTR-E
封装:PowerSSO-12
批次:2021
数量:10346
制造商:STMicroelectronics
产品种类:门驱动器
RoHS:
产品:Driver ICs - Various
类型:High Side
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerSSO-12
激励器数量:2 Driver
输出电流:10 A
电源电压-最小:4.5 V
电源电压-最大:41 V
工作电源电流:3 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
系列:VND5E160MJ-E
资格:AEC-Q100
技术:Si
商标:STMicroelectronics
湿度敏感性:Yes
工作电源电压:4.5 V to 28 V
产品类型:Gate Drivers
工厂包装数量:2500
子类别:PMIC - Power Management ICs
单位重量:400 mg


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