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品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
19828
描述
IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
湿气敏感性等级 （MSL）
1（无限）
原厂标准交货期
26 周
详细描述
IGBT-沟槽型场截止-650V-60A-38W-通孔-TO-220
数据列表
STGF30M65DF2;
标准包装
50
包装
管件
零件状态
有源
产品族
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列
M
其它名称
497-19151
IGBT 类型
沟槽型场截止
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120A
功率 - 最大值
38W
开关能量
300µJ（开），960µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
80nC
25°C 时 Td（开/关）值
31.6ns/115ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品
型号
STGF30M65DF2
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STGF30M65DF2 |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 19828 |
| 描述： | IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 原厂标准交货期： | 26 周 |
| 详细描述： | IGBT-沟槽型场截止-650V-60A-38W-通孔-TO-220FP |
| 数据列表： | STGF30M65DF2; |
| 标准包装： | 50 |
| 包装： | 管件 |
| 零件状态： | 有源 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 |
| 系列： | M |
| 其它名称： | 497-19151 |
| IGBT 类型： | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）： | 650V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： | 60A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： | 120A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值： | 38W |
| 开关能量： | 300µJ（开），960µJ（关） |
| 输入类型： | 标准 |
| 栅极电荷： | 80nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值： | 31.6ns/115ns |
| 测试条件： | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr)： | 140ns |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装： | TO-220FP |
