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品牌
ST/意法半导体
封装
TO-251-3
批次
2021
数量
19279
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
系列
STD100N03
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
35 ns
上升时间
205 ns
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
340 mg
可售卖地
全国
型号
STD100N03L-1
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD100N03L-1 |
| 封装： | TO-251-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 19279 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-251-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 10 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD100N03 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 35 ns |
| 上升时间： | 205 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 31 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
| 单位重量： | 340 mg |
