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首页 > 供应产品 > 意法 元器件 STP13NM60ND SM15T56CAY
意法 元器件 STP13NM60ND SM15T56CAY
浏览: 42
单价: 1.11元/个
最小起订量: 1000 个
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2022-11-22 02:39
 
详细信息

品牌

ST/意法半导体

封装

TO-220-3

批次

2021

数量

18433

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET

RoHS

技术

Si

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Id-连续漏极电流

11 A

Rds On-漏源导通电阻

380 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

25 V

Vgs th-栅源极阈值电压

4 V

Qg-栅极电荷

24.5 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

109 W

配置

Single

系列

STP13NM60ND

晶体管类型

1 N-Channel

商标

STMicroelectronics

下降时间

15.4 ns

产品类型

MOSFET

上升时间

10 ns

工厂包装数量

1000

子类别

MOSFETs

典型关闭延迟时间

9.6 ns

典型接通延迟时间

46.5 ns

单位重量

330 mg

可售卖地

全国

型号

STP13NM60ND

技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:STP13NM60ND
封装:TO-220-3
批次:2021
数量:18433
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:11 A
Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-栅极电荷:24.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:109 W
配置:Single
系列:STP13NM60ND
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:9.6 ns
典型接通延迟时间:46.5 ns
单位重量:330 mg


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