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品牌
ST/意法半导体
封装
TO-263-3
批次
2021
数量
17907
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
配置
Single
系列
STB33N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
2 g
可售卖地
全国
型号
STB33N60DM2
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STB33N60DM2 |
| 封装： | TO-263-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 17907 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 24 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 130 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 43 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 190 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | MDmesh |
| 配置： | Single |
| 系列： | STB33N60DM2 |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | 9 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 8 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 62 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 单位重量： | 2 g |
