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品牌
德州仪器
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
10525
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19505KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
正向跨导 - 最小值
262 S
下降时间
6 ns
上升时间
16 ns
单位重量
6 g
可售卖地
全国
型号
CSD19505KCS
技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD19505KCS |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 10525 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.1 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.6 V |
| Qg-栅极电荷： | 76 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 16.51 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | CSD19505KCS |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.7 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 262 S |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 16 ns |
| 单位重量： | 6 g |
