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品牌
ST/意法半导体
封装
TO-3P-3
批次
2021
数量
18505
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20V60F
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
7 g
可售卖地
全国
型号
STGWT20V60F
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STGWT20V60F |
| 封装： | TO-3P-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 18505 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 封装 / 箱体： | TO-3P-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.3 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 40 A |
| Pd-功率耗散： | 167 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 系列： | STGWT20V60F |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 20 A |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 栅极—射极漏泄电流： | 250 nA |
| 产品类型： | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量： | 300 |
| 子类别： | IGBTs |
| 单位重量： | 7 g |
