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品牌
ST/意法半导体
封装
TO-252-3
批次
2021
数量
10031
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD18NF03L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.2 mm
下降时间
22 ns
上升时间
100 ns
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
STD18NF03L
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD18NF03L |
| 封装： | TO-252-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 10031 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 17 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 50 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 16 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 30 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.4 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 系列： | STD18NF03L |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.2 mm |
| 下降时间： | 22 ns |
| 上升时间： | 100 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 25 ns |
| 典型接通延迟时间： | 11 ns |
| 单位重量： | 4 g |
