品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220FP-3
批次
2021
数量
17072
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
1 kV
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
- 30 V, + 30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
系列
MDmesh K5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
下降时间
22 ns
上升时间
11 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2 g
可售卖地
全国
型号
STP5NB100FP
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STP5NB100FP |
| 封装： | TO-220FP-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 17072 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220FP-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 1 kV |
| Id-连续漏极电流： | 5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.7 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| 最小工作温度： | - 65 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 40 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 9.3 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | MDmesh K5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.6 mm |
| 下降时间： | 22 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型接通延迟时间： | 24 ns |
| 单位重量： | 2 g |