品牌
ST/意法半导体
封装
TO-263-3
批次
2021
数量
15377
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
商标名
MDmesh
配置
Single
系列
STB30N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
4 g
可售卖地
全国
类型
Power MOSFET
型号
STB30N65M5
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STB30N65M5 |
| 封装： | TO-263-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 15377 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 22 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 125 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 64 nC |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 140 W |
| 商标名： | MDmesh |
| 配置： | Single |
| 系列： | STB30N65M5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 类型： | Power MOSFET |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | 10 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 8 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 50 ns |
| 典型接通延迟时间： | 50 ns |
| 单位重量： | 4 g |