品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
12745
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
4.6 mm
长度
16.4 mm
系列
STF12N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.4 mm
下降时间
18 ns
上升时间
9.2 ns
典型关闭延迟时间
56 ns
典型接通延迟时间
9.2 ns
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STF12N60M2
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STF12N60M2 |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 12745 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 9 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 450 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 16 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 25 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 4.6 mm |
| 长度： | 16.4 mm |
| 系列： | STF12N60M2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 10.4 mm |
| 下降时间： | 18 ns |
| 上升时间： | 9.2 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 56 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9.2 ns |
| 单位重量： | 330 mg |