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品牌
ST/意法半导体
封装
TO-251-3
批次
2021
数量
17346
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
下降时间
21 ns
上升时间
8.5 ns
系列
STU2LN60K3
晶体管类型
23.5 ns
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
340 mg
可售卖地
全国
型号
STU2LN60K3
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STU2LN60K3 |
| 封装： | TO-251-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 17346 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-251-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.75 V |
| Qg-栅极电荷： | 12 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 45 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 21 ns |
| 上升时间： | 8.5 ns |
| 系列： | STU2LN60K3 |
| 晶体管类型： | 23.5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 10 ns |
| 典型接通延迟时间： | 340 mg |
