品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
17158
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
68 V
Id-连续漏极电流
98 A
Rds On-漏源导通电阻
9.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STP80NF70
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
75 ns
上升时间
60 ns
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STP80NF70
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STP80NF70 |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 17158 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 68 V |
| Id-连续漏极电流： | 98 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 75 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 190 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STP80NF70 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 75 ns |
| 上升时间： | 60 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 90 ns |
| 典型接通延迟时间： | 17 ns |
| 单位重量： | 330 mg |