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意法 元器件 STFU13N65M2图1

意法 元器件 STFU13N65M2

2022-11-24 12:38750询价
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品牌

ST/意法半导体

封装

TO-220-3

批次

2021

数量

15181

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Id-连续漏极电流

10 A

Rds On-漏源导通电阻

430 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压

3 V

Qg-栅极电荷

17 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

25 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

高度

4.6 mm

长度

16.4 mm

系列

STFU13N65M2

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

10.4 mm

下降时间

12 ns

上升时间

7.8 ns

典型关闭延迟时间

38 ns

典型接通延迟时间

11 ns

单位重量

2.300 g

可售卖地

全国

型号

STFU13N65M2

技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:STFU13N65M2
封装:TO-220-3
批次:2021
数量:15181
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:10 A
Rds On-漏源导通电阻:430 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Qg-栅极电荷:17 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:25 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
高度:4.6 mm
长度:16.4 mm
系列:STFU13N65M2
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:10.4 mm
下降时间:12 ns
上升时间:7.8 ns
典型关闭延迟时间:38 ns
典型接通延迟时间:11 ns
单位重量:2.300 g


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