品牌
TI
封装
2205+5
批次
VSONP8
数量
1992
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19533Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
正向跨导 - 最小值
63 S
下降时间
5 ns
上升时间
6 ns
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
86.200 mg
可售卖地
全国
型号
CSD19533Q5AT
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD19533Q5AT |
| 封装： | 2205+5 |
| 批次： | VSONP8 |
| 数量： | 1992 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | VSONP-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9.4 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 27 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 96 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 6 mm |
| 系列： | CSD19533Q5A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.9 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 63 S |
| 下降时间： | 5 ns |
| 上升时间： | 6 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 16 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6 ns |
| 单位重量： | 86.200 mg |