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IPD60R2K0C6 集成电路、处理器、微控制器图1

IPD60R2K0C6 集成电路、处理器、微控制器

2022-12-11 00:59700询价
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品牌

英飞凌

封装

TO-252

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

2.4 A

Rds On-漏源导通电阻

1.8 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2.5 V

Qg-栅极电荷

6.7 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

22.3 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

系列

CoolMOS C6

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

6.22 mm

下降时间

50 ns

上升时间

7 ns

典型关闭延迟时间

30 ns

典型接通延迟时间

7 ns

零件号别名

SP000799132 IPD60R2K0C6BTMA1

单位重量

330 mg

可售卖地

全国

型号

IPD60R2K0C6


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