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IRFB4227PBF 场效应管 IR 封装TO-220图1

IRFB4227PBF 场效应管 IR 封装TO-220

2022-12-14 15:35620询价
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品牌

IR

封装

TO-220

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

Through Hole

封装 / 箱体

TO-220-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Id-连续漏极电流

65 A

Rds On-漏源导通电阻

24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.8 V

Qg-栅极电荷

70 nC

最小工作温度

- 40 C

最大工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

330 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

高度

15.65 mm

长度

10 mm

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

4.4 mm

正向跨导 - 最小值

49 S

下降时间

31 ns

上升时间

20 ns

典型关闭延迟时间

21 ns

典型接通延迟时间

33 ns

单位重量

2 g

可售卖地

全国

型号

IRFB4227PBF

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