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IRLR120NTRPBF MOS(场效应管) 电子元器件图1

IRLR120NTRPBF MOS(场效应管) 电子元器件

2022-12-18 20:11860询价
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品牌

IR

封装

TO-252

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Id-连续漏极电流

11 A

Rds On-漏源导通电阻

265 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

16 V

Qg-栅极电荷

13.3 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 175 C

Pd-功率耗散

39 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

2.3 mm

长度

6.5 mm

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

6.22 mm

下降时间

22 ns

上升时间

35 ns

典型关闭延迟时间

23 ns

典型接通延迟时间

4 ns

零件号别名

SP001574026

单位重量

4 g

可售卖地

全国

型号

IRLR120NTRPBF

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