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CSD18514Q5AT 场效应管 TI 封装21+图1

CSD18514Q5AT 场效应管 TI 封装21+

2023-01-02 19:00410询价
价格:¥9.90/个
起订:1000个
发货:3天内
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品牌

TI

封装

21+

批次

VSONP-8

数量

4930

制造商

Texas Instruments

产品种类

MOSFET

RoHS

技术

Si

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

VSONP-8

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Id-连续漏极电流

50 A

Rds On-漏源导通电阻

6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.5 V

Qg-栅极电荷

38 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

74 W

通道模式

Enhancement

商标名

NexFET

配置

Single

系列

CSD18514Q5A

晶体管类型

1 N-Channel

商标

Texas Instruments

正向跨导 - 最小值

59 S

下降时间

6 ns

产品类型

MOSFET

上升时间

22 ns

工厂包装数量

250

子类别

MOSFETs

典型关闭延迟时间

14 ns

典型接通延迟时间

13 ns

单位重量

84.200 mg

可售卖地

全国

型号

CSD18514Q5AT

技术参数

品牌:TI
型号:CSD18514Q5AT
封装:21+
批次:VSONP-8
数量:4930
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS:
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSONP-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Qg-栅极电荷:38 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:74 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
配置:Single
系列:CSD18514Q5A
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Texas Instruments
正向跨导 - 最小值:59 S
下降时间:6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:22 ns
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:14 ns
典型接通延迟时间:13 ns
单位重量:84.200 mg


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