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品牌
TI
封装
21+
批次
SON8
数量
2500
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
2 Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.5 W
通道模式
Enhancement
配置
Dual
高度
1.5 mm
长度
6 mm
系列
CSD87352Q5D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
正向跨导 - 最小值
87 S / 51 S
下降时间
2.7 ns
上升时间
7 ns
单位重量
157.200 mg
可售卖地
全国
型号
CSD87352Q5D
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD87352Q5D |
| 封装： | 21+ |
| 批次： | SON8 |
| 数量： | 2500 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | LSON-CLIP-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 9 mOhms, 2.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, + 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.1 V |
| Qg-栅极电荷： | 12.5 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 8.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.5 mm |
| 长度： | 6 mm |
| 系列： | CSD87352Q5D |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 5 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 87 S / 51 S |
| 下降时间： | 2.7 ns |
| 上升时间： | 7 ns |
| 单位重量： | 157.200 mg |
