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品牌
TI
封装
21+
批次
PICOSTAR-3
数量
3000
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.75 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD18541F5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.77 mm
下降时间
496 ns
上升时间
540 ns
典型关闭延迟时间
1076 ns
典型接通延迟时间
572 ns
单位重量
0.700 mg
可售卖地
全国
型号
CSD18541F5
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD18541F5 |
| 封装： | 21+ |
| 批次： | PICOSTAR-3 |
| 数量： | 3000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PICOSTAR-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 65 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.75 V |
| Qg-栅极电荷： | 11 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW (1/2 W) |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.35 mm |
| 长度： | 1.53 mm |
| 系列： | CSD18541F5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 0.77 mm |
| 下降时间： | 496 ns |
| 上升时间： | 540 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 1076 ns |
| 典型接通延迟时间： | 572 ns |
| 单位重量： | 0.700 mg |
