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品牌
TI
封装
22+
批次
SON8
数量
37500
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Qg-栅极电荷
4.8 nC, 9.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD86330Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
正向跨导 - 最小值
52 S, 82 S
下降时间
1.9 ns, 4.2 ns
上升时间
7.5 ns, 6.3 ns
典型关闭延迟时间
8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 5.3 ns
单位重量
64 mg
可售卖地
全国
型号
CSD86330Q3D
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD86330Q3D |
| 封装： | 22+ |
| 批次： | SON8 |
| 数量： | 37500 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | LSON-CLIP-8 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 25 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.5 A |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 5 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 900 mV |
| Qg-栅极电荷： | 4.8 nC, 9.2 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 6 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.5 mm |
| 长度： | 3.3 mm |
| 系列： | CSD86330Q3D |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 3.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 52 S, 82 S |
| 下降时间： | 1.9 ns, 4.2 ns |
| 上升时间： | 7.5 ns, 6.3 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 8.5 ns, 15.8 ns |
| 典型接通延迟时间： | 4.9 ns, 5.3 ns |
| 单位重量： | 64 mg |
