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CSD86330Q3D 场效应管 TI 封装22+图1

CSD86330Q3D 场效应管 TI 封装22+

2023-01-07 16:21830询价
价格:¥9.90/个
起订:1000个
发货:3天内
发送询价

品牌

TI

封装

22+

批次

SON8

数量

37500

制造商

Texas Instruments

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

LSON-CLIP-8

通道数量

2 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Id-连续漏极电流

4.5 A

Vgs - 栅极-源极电压

5 V

Vgs th-栅源极阈值电压

900 mV

Qg-栅极电荷

4.8 nC, 9.2 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

6 W

配置

Dual

通道模式

Enhancement

高度

1.5 mm

长度

3.3 mm

系列

CSD86330Q3D

晶体管类型

2 N-Channel

宽度

3.3 mm

正向跨导 - 最小值

52 S, 82 S

下降时间

1.9 ns, 4.2 ns

上升时间

7.5 ns, 6.3 ns

典型关闭延迟时间

8.5 ns, 15.8 ns

典型接通延迟时间

4.9 ns, 5.3 ns

单位重量

64 mg

可售卖地

全国

型号

CSD86330Q3D

技术参数

品牌:TI
型号:CSD86330Q3D
封装:22+
批次:SON8
数量:37500
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:LSON-CLIP-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:25 V
Id-连续漏极电流:4.5 A
Vgs - 栅极-源极电压:5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:900 mV
Qg-栅极电荷:4.8 nC, 9.2 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:6 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
高度:1.5 mm
长度:3.3 mm
系列:CSD86330Q3D
晶体管类型:2 N-Channel
宽度:3.3 mm
正向跨导 - 最小值:52 S, 82 S
下降时间:1.9 ns, 4.2 ns
上升时间:7.5 ns, 6.3 ns
典型关闭延迟时间:8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间:4.9 ns, 5.3 ns
单位重量:64 mg


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