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品牌
美台
批次
SOT23-6
数量
6553
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOT-26-6
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
22.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
系列
DMN60
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
4 ns
上升时间
8.1 ns
典型关闭延迟时间
20.1 ns
典型接通延迟时间
6.6 ns
单位重量
13 mg
可售卖地
全国
型号
DMN6040SVT-7
技术参数
| 品牌： | DIODES/美台 |
| 型号： | DMN6040SVT-7 |
| 批次： | SOT23-6 |
| 数量： | 6553 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSOT-26-6 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 5 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 44 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 22.4 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.8 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | DMN60 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 4 ns |
| 上升时间： | 8.1 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 20.1 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6.6 ns |
| 单位重量： | 13 mg |
