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品牌
IR
封装
SOIC-8
批次
19+
数量
1000000
制造商
Infineon Technologies
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH
0.8V,3V
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
100ns,50ns
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
可售卖地
全国
类型
集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器
型号
IR2101STRPBF
技术参数
品牌: | IR |
型号: | IR2101STRPBF |
封装: | SOIC-8 |
批次: | 19+ |
数量: | 1000000 |
类别: | 集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器 |
制造商: | Infineon Technologies |
驱动配置: | 半桥 |
通道类型: | 独立式 |
驱动器数: | 2 |
栅极类型: | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电: | 10V ~ 20V |
逻辑电压 - VIL,VIH: | 0.8V,3V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 210mA,360mA |
输入类型: | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举): | 600 V |
上升/下降时间(典型值): | 100ns,50ns |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |