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IR2101STRPBF MOSFET及IGBT驱动器图1

IR2101STRPBF MOSFET及IGBT驱动器

2022-11-09 09:41350询价
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起订:3000个
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品牌

IR

封装

SOIC-8

批次

19+

数量

1000000

制造商

Infineon Technologies

驱动配置

半桥

通道类型

独立式

驱动器数

2

栅极类型

IGBT,N 沟道 MOSFET

电压 - 供电

10V ~ 20V

逻辑电压 - VIL,VIH

0.8V,3V

输入类型

非反相

上升/下降时间(典型值)

100ns,50ns

工作温度

-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

可售卖地

全国

类型

集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器

型号

IR2101STRPBF

技术参数

品牌:IR
型号:IR2101STRPBF
封装:SOIC-8
批次:19+
数量:1000000
类别:集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器
制造商:Infineon Technologies
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电:10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):210mA,360mA
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
上升/下降时间(典型值):100ns,50ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


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