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品牌
ST/意法半导体
封装
H2PAK-2
批次
2021
数量
10913
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
183 nC
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
系列
STH260N6F6-2
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
62.6 ns
上升时间
165 ns
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
STH260N6F6-2
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STH260N6F6-2 |
| 封装： | H2PAK-2 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 10913 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | H2PAK-2 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 75 V |
| Id-连续漏极电流： | 120 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 2.4 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 183 nC |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STH260N6F6-2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 62.6 ns |
| 上升时间： | 165 ns |
| 单位重量： | 4 g |
