品牌
ISSI/美国芯成
数量
14648
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
存储容量
8Mb（512K x 16）
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
55ns
访问时间
55 ns
电压 - 供电
2.5V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
可售卖地
全国
类型
集成电路（IC） 存储器
型号
IS62WV51216BLL-55TLI
技术参数
| 品牌： | ISSI/美国芯成 |
| 型号： | IS62WV51216BLL-55TLI |
| 数量： | 14648 |
| 类别： | 集成电路（IC） 存储器 |
| 制造商： | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 存储器类型： | 易失 |
| 存储器格式： | SRAM |
| 存储容量： | 8Mb（512K x 16） |
| 存储器接口： | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页： | 55ns |
| 访问时间： | 55 ns |
| 电压 - 供电： | 2.5V ~ 3.6V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
京公网安备 11011402013499号
18612249812