品牌
AOS/万代
数量
19083
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FET 类型
N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±30V
功率耗散（最大值）
50W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
漏源电压（Vdss）
650 V
可售卖地
全国
型号
AOTF8N65
技术参数
| 品牌： | AOS/万代 |
| 型号： | AOTF8N65 |
| 数量： | 19083 |
| 制造商： | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 1.15 欧姆 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值）： | ±30V |
| 功率耗散（最大值）： | 50W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 漏源电压（Vdss）： | 650 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 28 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1400 pF @ 25 V |
京公网安备 11011402013499号
18612249812