品牌
仙童
数量
12028
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1 W
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SS8050
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
技术
Si
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/base Gain hfe Min
85
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
SS8050DBU_NL
单位重量
179 mg
可售卖地
全国
型号
SS8050DBU
技术参数
品牌: | FAIRCHILD/仙童 |
型号: | SS8050DBU |
数量: | 12028 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-92-3 |
晶体管极性: | NPN |
配置: | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 25 V |
集电极—基极电压 VCBO: | 40 V |
发射极 - 基极电压 VEBO: | 6 V |
集电极—射极饱和电压: | 0.5 V |
最大直流电集电极电流: | 1.5 A |
Pd-功率耗散: | 1 W |
增益带宽产品fT: | 100 MHz |
最小工作温度: | - 65 C |
最大工作温度: | + 150 C |
系列: | SS8050 |
直流电流增益 hFE 最大值: | 300 |
高度: | 4.7 mm |
长度: | 4.7 mm |
技术: | Si |
宽度: | 3.93 mm |
商标: | ON Semiconductor / Fairchild |
集电极连续电流: | 1.5 A |
直流集电极/base Gain hfe Min: | 85 |
产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工厂包装数量: | 10000 |
子类别: | Transistors |
零件号别名: | SS8050DBU_NL |
单位重量: | 179 mg |