品牌
AOS/万代
数量
12514
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品
型号
AO9926B
技术参数
品牌: | AOS/万代 |
型号: | AO9926B |
数量: | 12514 |
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
类别: | 分立半导体产品 |
产品族: | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): | 7.6A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): | 23 毫欧 @ 7.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): | 630pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |