品牌
英飞凌
数量
10969
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
配置
Dual
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
995 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
4050 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
零件号别名
FF600R12ME4BOSA1 SP000635448 FF600R12ME4BOSA1
单位重量
345 g
可售卖地
全国
型号
FF600R12ME4
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | FF600R12ME4 |
| 数量： | 10969 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 模块 |
| 配置： | Dual |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.1 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 995 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
| Pd-功率耗散： | 4050 W |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 安装风格： | Chassis Mount |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 零件号别名： | FF600R12ME4BOSA1 SP000635448 FF600R12ME4BOSA1 |
| 单位重量： | 345 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812