品牌
仙童
数量
19788
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
21 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG5N120BND
集电极最大连续电流 Ic
21 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
21 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG5N120BND_NL
单位重量
6.390 g
可售卖地
全国
型号
HGTG5N120BND
技术参数
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 |
| 型号： | HGTG5N120BND |
| 数量： | 19788 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 2.45 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 21 A |
| Pd-功率耗散： | 167 W |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | HGTG5N120BND |
| 集电极最大连续电流 Ic： | 21 A |
| 高度： | 20.82 mm |
| 长度： | 15.87 mm |
| 宽度： | 4.82 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 集电极连续电流： | 21 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | +/- 250 nA |
| 产品类型： | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量： | 450 |
| 子类别： | IGBTs |
| 零件号别名： | HGTG5N120BND_NL |
| 单位重量： | 6.390 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812