品牌
TI
封装
21+
批次
VSONP-8
数量
4930
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
配置
Single
系列
CSD18514Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
59 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
84.200 mg
可售卖地
全国
型号
CSD18514Q5AT
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD18514Q5AT |
| 封装： | 21+ |
| 批次： | VSONP-8 |
| 数量： | 4930 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | VSONP-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 38 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 74 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | NexFET |
| 配置： | Single |
| 系列： | CSD18514Q5A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | Texas Instruments |
| 正向跨导 - 最小值： | 59 S |
| 下降时间： | 6 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 22 ns |
| 工厂包装数量： | 250 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 14 ns |
| 典型接通延迟时间： | 13 ns |
| 单位重量： | 84.200 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812