品牌
TI
封装
21+
批次
WSON-6
数量
6000
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
16.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
CSD17318Q2
晶体管类型
1 N-Channel
正向跨导 - 最小值
42 S
下降时间
4 ns
上升时间
16 ns
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
5.500 mg
可售卖地
全国
型号
CSD17318Q2
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD17318Q2 |
| 封装： | 21+ |
| 批次： | WSON-6 |
| 数量： | 6000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | WSON-6 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 16.9 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 600 mV |
| Qg-栅极电荷： | 6 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 16 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | CSD17318Q2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 42 S |
| 下降时间： | 4 ns |
| 上升时间： | 16 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 13 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 单位重量： | 5.500 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812