品牌
IR
数量
9011
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-254-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
27.4 A
Rds On-漏源导通电阻
105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
13.84 mm
长度
13.84 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.6 mm
下降时间
130 ns
上升时间
190 ns
典型关闭延迟时间
170 ns
典型接通延迟时间
35 ns
可售卖地
全国
型号
JANTXV2N7225
技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | JANTXV2N7225 |
| 数量： | 9011 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-254-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 27.4 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 105 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 150 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 13.84 mm |
| 长度： | 13.84 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.6 mm |
| 下降时间： | 130 ns |
| 上升时间： | 190 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 170 ns |
| 典型接通延迟时间： | 35 ns |
京公网安备 11011402013499号
18612249812