品牌
IR
封装
SOP-8
批次
08+
数量
1604
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
晶体管极性
P-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
3.9 mm
宽度
540 mg
可售卖地
全国
型号
IRF6216TRPBF
技术参数
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRF6216TRPBF |
| 封装： | SOP-8 |
| 批次： | 08+ |
| 数量： | 1604 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOIC-8 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 150 V |
| Id-连续漏极电流： | 2.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 240 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 5 V |
| Qg-栅极电荷： | 33 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.75 mm |
| 长度： | 4.9 mm |
| 晶体管类型： | 3.9 mm |
| 宽度： | 540 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812