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STD10P6F6 场效应管 ST/意法
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所在地:广东 深圳市
有效期:长期有效
最后更新:2022-11-11 17:28
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产品详情

品牌

意法

封装

TO-252-3

批次

21+

数量

15000

制造商

STMicroelectronics

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET 类型

P 通道

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A(Tc)

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

35W(Tc)

工作温度

175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

可售卖地

全国

类型

分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET -

型号

STD10P6F6


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