品牌
德州仪器
封装
VSONP8
批次
21+
数量
8000
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD19538Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
下降时间
2 ns
上升时间
3 ns
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
27.300 mg
可售卖地
全国
型号
CSD19538Q3A
京公网安备 11011402013499号
18612249812