品牌
ST/意法半导体
封装
DPAK
批次
2021
数量
18159
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
系列
STD13N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
9.5 ns
上升时间
10 ns
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
STD13N60M2
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD13N60M2 |
| 封装： | DPAK |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 18159 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 11 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 380 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 17 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD13N60M2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 9.5 ns |
| 上升时间： | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 41 ns |
| 典型接通延迟时间： | 11 ns |
| 单位重量： | 4 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812