品牌
ST/意法半导体
封装
TO-252-3
批次
2021
数量
16009
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
24 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
40 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
系列
STD38NH02L
晶体管类型
1 N-Channel
下降时间
12 ns
上升时间
62 ns
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STD38NH02LT4-E
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD38NH02LT4-E |
| 封装： | TO-252-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 16009 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 24 V |
| Id-连续漏极电流： | 38 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 13.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 40 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD38NH02L |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 下降时间： | 12 ns |
| 上升时间： | 62 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 25 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7 ns |
| 单位重量： | 330 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812