品牌
ST/意法半导体
封装
TO-220-3
批次
2021
数量
13263
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
36 nC
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
商标名
MDmesh
系列
STP20N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
可售卖地
全国
型号
STP20N65M5
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STP20N65M5 |
| 封装： | TO-220-3 |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 13263 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 190 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 36 nC |
| Pd-功率耗散： | 130 W |
| 配置： | Single |
| 商标名： | MDmesh |
| 系列： | STP20N65M5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | 7.5 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 7.5 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 单位重量： | 330 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812