品牌
ST/意法半导体
封装
DPAK
批次
2021
数量
17491
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.25 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
配置
Single
高度
2.4 mm
长度
6.6 mm
系列
STD1NK60T4
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
宽度
6.2 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
4 g
可售卖地
全国
类型
MOSFET
型号
STD1NK60T4
技术参数
| 品牌： | ST/意法半导体 |
| 型号： | STD1NK60T4 |
| 封装： | DPAK |
| 批次： | 2021 |
| 数量： | 17491 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 8.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.25 V |
| Qg-栅极电荷： | 7 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 30 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | SuperMESH |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.4 mm |
| 长度： | 6.6 mm |
| 系列： | STD1NK60T4 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel MOSFET |
| 类型： | MOSFET |
| 宽度： | 6.2 mm |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 正向跨导 - 最小值： | 1 S |
| 下降时间： | 25 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 5 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 19 ns |
| 典型接通延迟时间： | 6.5 ns |
| 单位重量： | 4 g |
京公网安备 11011402013499号
18612249812